IBM成功研发两纳米芯片 速度胜主流45%

IBM人员展示一个晶体圆形片，包含用两纳米技术制成的芯片。

　　（星岛日报报道）美国IBM公司周四宣布在实验室制造出两纳米制程的芯片，实现芯片领域的最新突破，表示这项技术可让芯片速度，比当今主流的七纳米芯片提升多达百分之四十五，能源效率提升多达百分之七十五。新芯片有助把智能手机的电池续航力延长四倍，将来可以让手机平均每隔四天才充电一次。

　　芯片制造技术的制程常以纳米为单位计算，数字愈低意味愈先进、体积更小、性能更高、功耗更低。两纳米工艺的芯片，意味着把五百亿个晶体管塞进“指甲盖大小的芯片”，上一次在制程上取得突破是二○一七年的五纳米制式芯片，放入三百亿个晶体管。目前许多笔记型电脑和手机使用的是七纳米芯片，而两纳米芯片制造技术可能还要花数年才能投入市场。两纳米芯片的体积比当前最尖端的五纳米芯片速度更快。目前五纳米芯片只用于苹果iPhone 12等高端手机，预料三纳米芯片将继五纳米芯片之后推出。

　　IBM曾是重要芯片制造商，如今已把量产芯片的工作委托给三星，但在纽约州奥尔巴尼仍有一座芯片制造研发中心来试产芯片。IBM也与三星和英特尔签署联合技术开发协议，让这两家公司得以使用IBM的芯片制造技术。两纳米新技术使芯片降低七成五能耗，一个潜在优势是把电池使用时间延长四倍，相对手机业目前普遍的“一天一充”，有望实现“四天一充”。

---------------------------------------------

>>>立即浏览【移民百答】栏目：新移民抵埗攻略，老华侨也未必知道的事，移民、工作、居住、食玩买、交通、报税、银行、福利、生育、教育。

>>>即读【新移民专栏】：新移民第一身经验，与你分享当下年轻移民生活日常大小事，即读“新移民专栏”。