比利時拘Belgan晶片廠華裔前高層 涉非法轉移半導體技術

比利時檢方透露，一名具中國與比利時雙重國籍的52歲男子，因涉嫌從事半導體技術間諜活動，今年5月在機場準備搭機前往北京時被捕，目前正遭審前羈押，同案另有一名疑犯在逃。

路透社引述檢方指出，該男子定居比利時，曾任當地晶片製造商Belgan高層，涉嫌將生產氮化鎵（GaN）晶片相關的專門智慧財產權與商業機密非法轉移至國外。

氮化鎵晶片有快充、高輸出及體積小三大優點。

Belgan 專門生產氮化鎵半導體，相關晶片可應用於電動車、航太及軍事領域，該公司已於2024年7月宣告破產 

檢方懷疑他在Belgan任職期間，同時在一間生產同類晶片的中國企業擔任董事；該中國公司由中國投資基金出資，且在他加入Belgan僅數個月後成立。 

中國駐比利時大使館目前未對此事置評。