美光料全球記憶體短缺持續至明年 大規模產能釋放至少等2028年

美國存儲晶片股美光（Micron）行政總裁Sanjay Mehrotra近日接受外媒訪問時表示，全球記憶體短缺情況預計將持續至2026年之後，而行業真正大規模的新產能釋放，至少需等到2028年。

Sanjay Mehrotra指出，當前AI需求帶動記憶體需求急速上升，而美光正與客戶加強合作，並推動簽訂長期供應協議，以提高供應的可預期性；不過，他強調新產能落地需時，僅是建造廠房就要耗時幾年，其後設備進場及安裝調試亦需要漫長周期。

承諾在美投資2000億美元

他提到，美光正加快擴產步伐，以應對全球供應緊張。根據規劃，美光將在愛達荷州博伊西建設兩座先進晶圓廠，首座預計於明年中開始產出晶圓，第二座則計劃於2028年底投產；並會在紐約州錫拉丘茲打造最多4座晶圓廠。同時，公司亦投入逾20億美元升級弗吉尼亞州工廠，而且該工廠已啟動全美首個「1-alpha」製程DRAM量產，標誌其推動先進記憶體製造回流美國的重要一步。

整體而言，美光承諾在美國投資高達2,000億美元用於製造與研發，計劃將本土產量佔全球總產量比例由目前約10%提升至40%，並預計可創造約9萬個就業機會。