三星宣佈量產3納米半導體芯片 為全球首家
三星電子今日宣佈已經開始在其位於韓國的華城工廠大規模生產3納米半導體芯片，是全球首家量產3納米芯片的公司。與前幾代使用FinFET的芯片不同，三星使用的GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。
三星公司在一份聲明中說，與傳統的5納米芯片相比，新開發的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，並減少16%的面積。
三星電子今日宣佈已經開始在其位於韓國的華城工廠大規模生產3納米半導體芯片，是全球首家量產3納米芯片的公司。與前幾代使用FinFET的芯片不同，三星使用的GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。
三星公司在一份聲明中說，與傳統的5納米芯片相比，新開發的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，並減少16%的面積。
