美光料全球内存短缺持续至明年 大规模产能释放至少等2028年

美国存储芯片股美光（Micron）行政总裁Sanjay Mehrotra近日接受外媒访问时表示，全球内存短缺情况预计将持续至2026年之后，而行业真正大规模的新产能释放，至少需等到2028年。

Sanjay Mehrotra指出，当前AI需求带动内存需求急速上升，而美光正与客户加强合作，并推动签订长期供应协议，以提高供应的可预期性；不过，他强调新产能落地需时，仅是建造厂房就要耗时几年，其后设备进场及安装调试亦需要漫长周期。

承诺在美投资2000亿美元

他提到，美光正加快扩产步伐，以应对全球供应紧张。根据规划，美光将在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，首座预计于明年中开始产出晶圆，第二座则计划于2028年底投产；并会在纽约州锡拉丘兹打造最多4座晶圆厂。同时，公司亦投入逾20亿美元升级弗吉尼亚州工厂，而且该工厂已启动全美首个“1-alpha”制程DRAM量产，标志其推动先进内存制造回流美国的重要一步。

整体而言，美光承诺在美国投资高达2,000亿美元用于制造与研发，计划将本土产量占全球总产量比例由目前约10%提升至40%，并预计可创造约9万个就业机会。