美拟推措施阻华取得先进半导体技术 三星海力士中国厂房或获放行

传媒引述消息人士报道，美国总统拜登政府计画对中国内存芯片制造商采取新管制措施，目的是阻挠北京科技和军事发展，但不打算波及韩国三星和SK海力士公司。据报美国政府打算容许美国芯片生产设备供应商，可以供应先进产品给在中国设有DRAM记忆芯片生产线的三星和SK海力士，但不容许美商向中资公司提供相关设备。

拜登政府计画推出新一轮措施，限制中国科企取得先进芯片生产技术。AP资料图片

 

路透社引述消息人士指，美国商务部计画本周对中国推出新一波技术出口管制措施，如果长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）之类的中国企业是在制造先进的动态随机存取内存（DRAM）或快闪存储器芯片（NAND Flash），美方很可能会拒绝美国供应商的申请，不让他们向这些中国企业运送相关设备。

三星陕西省设有生产NAND快闪存储器芯片工厂。路透社资料图片

SK海力士先前收购英特尔在大连的NAND芯片业务。路透社资料图片

美国推出的技术限制措施将不会影响两间韩企在华业务。路透社资料图片

美国已禁止向中国出口尖端芯片生产技术及设备。路透社资料图片

内地芯片生产商长江存储预料将遭美国出口限制打击。网上图片

不过消息人士说，若是申请许可向在中国生产先进内存芯片的外国公司出售设备，当局将采逐案审查，可能会允许这些外商取得设备。知情人士说：“目标是不伤害非本土企业。”

此举可望缓解韩国内存芯片制造商的疑虑，他们最担心的就是美国可能会阻碍他们在中国的制造业务，以力阻中国的崛起、重创长江存储，以及保护处于弱势的美国内存芯片制造商。不过他们还是担心逐案审查的标准，远不如明确批准美国设备出货到中国工厂，可能导致他们与主管机关争执哪些应该获准出货。

三星在中国陕西省设有生产NAND快闪存储器芯片的工厂，其竞争对手SK海力士公司先前收购英特尔公司在大连的NAND快闪存储器芯片制造业务，并在另一座中国工厂生产DRAM芯片。新的管制措施锁定位于中国的动态随机存取内存芯片和储存型快闪存储器芯片制造商。

消息人士表示，美国供应商寻求向位于中国的半导体公司运送设备，如果这些公司生产的是18纳米以上的DRAM芯片、128层以下的NAND快闪存储器芯片或14纳米以上的逻辑芯片，美国供应商将毋须向美国商务部申请许可。不过，若将精密科技卖给生产18纳米以下的DRAM芯片、128层以上NAND快闪存储器芯片或14纳米以下逻辑芯片的中国本土芯片制造商，美国企业必须申请许可，将受到严格的“拒绝推定”标准审查。

消息人士还说，若是寻求将设备卖给在中国营运且生产相同类型芯片的外企，美国供应商也将面临许可证要求，但申请会逐案审查。白宫和商务部都拒绝发表评论。SK海力士、三星、YMTC和CXMT则没有回应置评请求。中国驻美国大使馆把这项预期的新规定描述为“科技霸凌”，指责美国利用其“技术实力…阻碍和抑制新兴市场和发展中国家的发展”。

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